FQP19N20 200V N-CHANNEL MOSFET EN BARQUISIMETO
FQP19N20 200V N-Channel Mosfet Número de Parte: FQP19N20 Tipo de FET: MOSFET Polaridad de transistor: N ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pd): 140 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V Corriente continua de drenaje (Id): 19.4 A Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V Carga de compuerta (Qg): 31 nC Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.15 Ohm Empaquetado / Estuche: TO220
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